.ÀÌÈ¥½ÃÀç»êºÐÇÒ ÆÄ¿öÅ¥ºê¼¼¹Ì´Â Àεµ ³²ºÎ ¸Á°¥·Î¿ì ¼ÒÀç B»çÀÇ Å¾籤 ±×¸®µå ŸÀÌ(Grid-tie) ÀιöÅÍ¿¡ 650V ½Ç¸®ÄÜ Àü·Â¹ÝµµÃ¼(Si SJ MOSFET)¸¦ ¾ç»ê °ø±ÞÇß´Ù°í 8ÀÏ ¹àÇû´Ù. À̹ø ¾ç»ê °ø±ÞÀº Àεµ¿¡¼ ÀÌ·ï³½ ù ¼º°ú´Ù. ´Ù¸¸ ±¸Ã¼ÀûÀÎ °ø±Þ ±Ô¸ð´Â ¹àÈ÷Áö ¾Ê¾Ò´Ù. ÆÄ¿öÅ¥ºê¼¼¹Ì´Â Àεµ ½ÃÀå °ø·«À» À§ÇØ ¹³¹ÙÀÌ, µ¨¸® ¼ÒÀç ¾÷üµé°ú ÇöÁö ¿µ¾÷¿¡ ÀÖ¾î Çù·Â °ü°è¸¦ ±¸ÃàÇß´Ù. À̸¦ ±â¹ÝÀ¸·Î ´Ù¸¥ Àεµ ¾÷üµé°úµµ Á¦Ç° Æò°¡¸¦ ÁøÇàÇϰí ÀÖ´Ù°í ÀüÇß´Ù.Çѱ¹Á¤º¸Åë½Å±â¼úÇùȸ(TTA)´Â 5ÀÏ(ÇöÁö½Ã°£) ¾ÆÅ Àü±âÅë½ÅÇùÀÇü(APT)¿Í ¿ª³» ±¹°¡µéÀÇ Á¤º¸Åë½Å±â¼ú(ICT) Ç¥ÁØÈ ¿ª·® °È¿Í À̸¦ ÅëÇÑ ICT »ê¾÷ °æÀï·Â Á¦°í ¹× ¹ßÀüÀ» À§ÇÑ Çù·ÂÀÇÇ⼸¦ ü°áÇß´Ù. À̹ø Çù·ÂÀÇÇ⼠ü°áÀ» ÅëÇØ ¾ç ±â°üÀº ICT Ç¥ÁØÈ ±³À° ÇÁ·Î±×·¥ °øµ¿ °³¹ß, ±³À° ±³Àç °³¹ß, Ç¥ÁØÈ ¸ð¹ü »ç·Ê °øÀ¯, Àü¹®°¡ ±³·ù¿Í ¿ª·® °È Ȱµ¿ µîÀ» ÇÔ²² ÃßÁøÇÑ´Ù. À̸¦ ÅëÇØ ¾Æ·Å Áö¿ªÀÇ ICT Ç¥ÁØÈ °æÀï·Â Á¦°í¸¦ ÇÔ²² ¸ð»öÇØ ³ª°¡±â·Î ÇÕÀÇÇß´Ù. ƯÈ÷ ¾ÆÅÂÁö¿ª ³» ÃÖºó°³µµ±¹(LDCs), ³»·ú°³µµ±¹(LLDCs), ±º¼Òµµ¼°³µµ±¹(SIDS) µî ´Ù¾çÇÑ È¯°æÀÇ Ç¥ÁØÈ ¿ª·®ÀÌ Ãë¾àÇÑ ±¹°¡µéÀ» °í·ÁÇÑ ¸ÂÃãÇü ÇÁ·Î±×·¥À» °³¹ßÇÑ´Ù. °¢±¹ÀÇ Æ¯¼º°ú ¼ö¿ä¿¡ ºÎÇÕÇÏ´Â ±³À°·ÈÆ·Ã ±âȸ¸¦ Á¦°øÇÔÀ¸·Î½á ȸ¿ø±¹ÀÇ ICT Ç¥ÁØÈ ½Ç¹« ¿ª·®À» Çâ»ó½Ã۰í, À̸¦ Åä´ë·Î ¾Æ·Å Áö¿ª ICT »ê¾÷ °æÀï·Â °È¸¦ µÞ¹ÞħÇÒ ¹æÄ§ÀÌ´Ù.