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<p><a class="seo-link good-link" href="https://criminallaw.tistory.com/" rel="noopener" target="_blank">.형사변호사</a> 내 연구팀이 뇌 주름을 모사한 인공 시냅스 소자를 개발해 장기 기억 능력을 기존보다 4배 향상시켰다. 고분자 소재로 만든 전자소자의 내부 결정 구조를 물리적 힘으로 제어해 기억 성능을 최대로 끌어올린 첫 사례다. 국립금오공대는 배근열 교수가 이은호 서울과학기술대 교수, 김대건 가천대 교수와 함께 인간 대뇌를 모사한 전기화학트랜지스터 기반 인공 시냅스 소자를 개발했다고 24일 밝혔다. 연구 결과는 최근 국제학술지 ‘스몰’ 표지논문으로 게재됐다. 연구팀은 인간 대뇌의 지각 능력이 주름 형성 이후 급격히 향상된 진화 과정에서 영감을 얻었다. 대뇌 피질은 부피를 키우는 대신 주름을 만들어 신경 세포 간 접점을 최대화하는 방향으로 진화했다. 연구팀은 뇌의 '주름 진화' 원리를 전자소자에 적용했다.</p>
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